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TC58NVG0S3HTA00中文资料

TC58NVG0S3HTA00图片

TC58NVG0S3HTA00外观图

  • 大小:67.29KB
  • 厂家:
  • 描述:NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity) Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity Capacity bit Tech. Node nm Page Size bit Block Size bit Power Supply V Operating Temperature °C I/O Package Part Number Access Time Program /Erase Time typ. Serial cycle 1st access Program Time Erase Time min ns typ μs μs ms 512M 43 2048 +64 × 8 128K +4K × 8 2.7 to 3.6 0 to 70 x8 TSOP I 48-P-1220- 0.50 TC58NVM9S3ETA00 25 25 300 2.5 -40 to 85 TC58NVM9S3ETAI0 25 25 300 2.5 P-TFBGA63-0911- 0.80CZ TC58NVM9S3EBAI4 25 25 300 2.5 P-VFBGA67-0608- 0.80-001 TC58NVM9S3EBAI6 25 25 300 2.5 1.70 to 1.95 P-TFBGA63-0911- 0.80CZ TC58NYM9S3EBAI4 25 25 300 2.5 P-VFBGA67-0608- 0.80-001 TC58NYM9S3EBAI6 25 25 300 2.5 1G 43 2048 +64 × 8 128K +4K × 8 2.7 to 3.6 0 to 70 x8 TSOP I 48-P-1220- 0.50 TC58DVG02D5TA00 25 25 300 2.5 -40 to 85 TC58DVG02D5TAI0 25 25 300 2.5 P-TFBGA63-0911- 0.80CZ TC58DVG02D5BAI4 25 25 300 2.5 P-VFBGA67-0608- 0.80-001 TC58DVG02D5BAI6 25 25 300 2.5 1.70 to 1.95 P-TFBGA63-0911- 0.80CZ TC58DYG02D5BA
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:25ns
  • 访问时间:25 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP I

TC58NVG0S3HTA00供应商

更新时间:2023-01-05 13:21:07
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